看到设备周围的伺服机构开始动作，高精度的掩模台和晶圆台在纳米尺度上高速而精准地协同运动，充满了科技特有的力量感。
“光刻的核心，简单理解，就像用极其精密的‘光’笔，把设计好的电路图‘画’到涂了感光胶的晶圆上。”
或许是为了缓解紧张气氛，吴明翰转过身来，用最通俗的类比介绍整个光刻过程：
“掩模版就是那个高精度的‘底片’，上面刻着放大了的电路图形，光源发出的深紫外光经过物镜组汇聚穿过掩模版，再经过一系列复杂的光学透镜系统缩小聚焦，最终将微缩几十倍甚至上百倍的电路图案，精准‘曝光’在晶圆的光刻胶层上”
“”
他顿了顿，语气中带着庆幸和自信：
“得益于arf1800本身极高的分辨率和套刻精度，我们在生产当前这一代7纳米制程节点的产品时，不需要再依赖相移掩模或者多重曝光这类极端技术，所以我们对这次流片的良品率非常有信心。”
随着吴明翰的话音，arf1800内部，肉眼不可见的精密过程正在发生：
激光脉冲精准激发，掩模台在纳米级精度下移动、对准，复杂的光学系统将掩模版上的图形以极高的分辨率投影到晶圆的光刻胶层上。
监控屏幕上，代表曝光进程的进度条平稳推进。
曝光完成的晶圆被送出，进入后烘步骤，使曝光区域的化学反应更加彻底，图形更加稳定。
接着是显影环节，特定的化学溶液被喷洒到晶圆表面，溶解掉未被光源照射到区域的光刻胶，从而将掩模板上的电路图形“显影”出来，清晰地呈现在晶圆表面。
定影流程则进一步强化剩余光刻胶图形的稳定性，使其能承受后续的蚀刻冲击。
随后，晶圆浸入特制的化学刻蚀液中，没有光刻胶保护的区域被选择性去除掉。
最终，刻蚀完成后，完成使命的光刻胶层被彻底去除干净
当最后一道沉积工序完成，第一批经过完整前端工序处理的晶圆被送出工作腔，也把气氛推到了顶点
吴明翰示意工作人员将其中一片晶圆置于一个带有特殊角度照明的观察台上，隔着洁净的保护罩展示给众人。
在特定角度的光线照射下，光滑如镜的硅晶圆表面，清晰地呈现出无数细密到肉眼几乎无法分辨细节、但排列极其规整有序的几何图形——那是晶体管栅极、源漏区、隔离槽等基础器